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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8FTHE3_A/I
| Artikelnummer: | UGB8FTHE3_A/I |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 300V 8A TO263AB |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
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| Aktie: |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB8FTHE3_A/I Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments UGB8FTHE3_A/I.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 8 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 300 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie Automotive, AEC-Q101 Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50 ns Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur - Anschluss -40°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 300 V Strom - Richt (Io) 8A Kapazität @ Vr, F - Grundproduktnummer UGB8 -
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